Форум » Общие вопросы использования Micro-CAP » Ошибка в моделях диодов » Ответить

Ошибка в моделях диодов

litvinoven: Случайно обнаружил ошибку в моделях диодов! Оказывается, МС всегда ставит параллельно диоду сопротивление 1Гом, независимо от значения параметра RL в модели диода. Т. е. даже у идеального диода (RL=inf) есть обратный ток! Ошибка есть и в МС11, и в МС10, в демо-версиях не проверял.

Ответов - 5

Aml: litvinoven, а в чем ошибка-то? Что странного в том, что в модели есть обратный ток пренебрежимо малой величины? (1мкА при обратном напряжении 1кВ) Можно считать, что максимальное параллельное сопротивление в диоде равно 1ГОм. Думаю, вряд ли у реальных приборов это значение больше.

litvinoven: Aml Извините - не заметил Вашего ответа в общем списка форума. Проблема в том, что иногда надо проэмулировать поведение диода при пикоамперных токах (для реальных кремниевых приборов это вовсе не предел). Например, NXP в модели стабилитрона BZV55-C11 для лучшего соответствия обратной ветви подключает параллельно диоду сопротивление 870 ГОм (аналогично и для NZX10, 11, 12 ...). Естественно, такие модели работают в МС неправильно, а жаль. Интересно, разработчики реагируют на такие проблемы? Я уже не раз наталкивался на мелкие "ляпы" в МС, которые хорошо бы исправить.

Aml: litvinoven, "ляпы" в МС есть. Если написать разработчикам, то они, как правило, исправляют ошибки. Сам писал им несколько раз. По поводу модели диода. Подумал тут... Как говорят программисты, это не баг, это фича. Причем, это не особенность модели диода, а особенность Micro-Cар. Но при желании обратное сопротивление диода можно увеличить. Вот, например, диод параллельным сопротивлением 100 миллионов гигаом (ток 11 фемптаампер при напряжении 1 киловольт). Дело в том, что величина сопротивления, параллельного p-n переходу устанавливается в двух местах. Поэтому фактически в модели диода стоит ДВА параллельных сопротивления. Величина первого устанавливается непосредственно параметрах модели диода (RL). А величина второго устанавливается в глобальных установках (Global Settings). Это параметр GNIN - минимальная проводимость, подключенная параллельно любому p-n переходу. Для стандартных установок Global Settings величина GMIN=1p (соответственно, сопротивление 1000 гигаом). Для установок "для силовых схем" (Power Default) GNIN=1n (параллельное сопротивление 1G). Т.е. если были выбраны установки "Power Default", то параллельно модели диода автоматически подключался резистор 1G. Что и наблюдал litvinoven в своих экспериментах. Если надо получить большие значения параллельного сопротивления, то во-первых надо включить установки "Standart Default". Параллельное сопротивление повысится до 1000G и автоматически повысится точность расчетов, чтобы повысить их адекватность в области малых токов. Если и этого сопротивления недостаточно, то нужно уменьшить GMIN.

litvinoven: Aml Спасибо огромное! Что бы мы без Вас делали? Старость - не радость. Много раз просматривал Global Settings, а не заметил, что стоит Power Default! Где-то в голове всплывало GMIN, а на панели не увидел! Действительно, Standard Default с GMIN=1p всё поставило на места - зря грешил на МС. Ещё раз спасибо.

Aml: Ну вот, еще одну проблемку победили :)



полная версия страницы